等離子去膠機(jī)是一種利用低溫等離子體技術(shù)去除半導(dǎo)體、微電子、光電等領(lǐng)域中光刻膠殘留的設(shè)備，其原理基于等離子體的物理和化學(xué)作用，能夠高效、環(huán)保地去除有機(jī)污染物，廣泛應(yīng)用于芯片制造、封裝測(cè)試等工藝環(huán)節(jié)。
 

　　氣體電離：在真空腔體內(nèi)，通過(guò)射頻(RF)電源或微波電源激發(fā)惰性氣體(如氬氣Ar、氧氣O2、氮?dú)釴2)或反應(yīng)性氣體(如CF2、SF2)，使其電離形成等離子體。
 

　　等離子體特性：等離子體由高能電子、離子、自由基和中性粒子組成，具有高反應(yīng)活性和能量，能夠與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或物理轟擊。
 

　　氧氣等離子體：O2在等離子體中分解為氧原子(O2)，與光刻膠中的碳?xì)浠衔?C2H2)發(fā)生氧化反應(yīng)，生成CO2、H2O等揮發(fā)性氣體，被真空泵抽出。
 

　　反應(yīng)式：C2H2 + O2→ CO2 + H2O + 其他揮發(fā)性產(chǎn)物
 

　　惰性氣體等離子體(如Ar)：高能離子和中性粒子對(duì)光刻膠表面進(jìn)行物理轟擊，剝離或刻蝕光刻膠層，適用于去除較厚或難以氧化的光刻膠。
 

　　氣體流量：調(diào)節(jié)O2、Ar等氣體的比例，控制化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊的強(qiáng)度。
 

　　功率與時(shí)間：調(diào)整射頻功率和去膠時(shí)間，優(yōu)化去膠效率和表面質(zhì)量。
 

　　壓力與溫度：維持腔體內(nèi)低壓環(huán)境(通常為1-100 Pa)，確保等離子體穩(wěn)定生成；低溫操作(常溫至100℃)避免熱損傷。
 

　　等離子去膠機(jī)的優(yōu)點(diǎn)：
 

　　快速去除：等離子體與光刻膠的反應(yīng)速率高，去膠時(shí)間通常為幾分鐘至幾十分鐘，遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)濕法去膠(需數(shù)小時(shí))。
 

　　無(wú)化學(xué)廢液：等離子去膠無(wú)需使用有機(jī)溶劑(如丙酮、NMP)，減少化學(xué)廢液排放，符合環(huán)保要求。
 

　　低溫操作：避免高溫導(dǎo)致的材料變形或性能退化，適用于對(duì)溫度敏感的器件(如柔性電子、生物芯片)。
 

　　選擇性去膠：通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻膠的選擇性去除，保護(hù)底層材料(如金屬、氧化物)。
 

　　適用多種材料：可去除正性光刻膠、負(fù)性光刻膠、聚酰亞胺等有機(jī)材料，適用于硅、玻璃、陶瓷、聚合物等多種基底。
 

　　與后道工藝兼容：去膠后表面清潔度高，無(wú)殘留，可直接進(jìn)行下一步工藝(如鍍膜、刻蝕)。
 

　　自動(dòng)化控制：設(shè)備配備PLC或計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)工藝參數(shù)的準(zhǔn)確控制和自動(dòng)化運(yùn)行。
 

　　易于集成：可與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)等設(shè)備集成，形成完整的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
 

　　等離子去膠機(jī)通過(guò)低溫等離子體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高效、環(huán)保、低損傷的光刻膠去除，具有去膠效率高、環(huán)保無(wú)污染、表面損傷小、工藝兼容性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。在半導(dǎo)體、微電子、光電等領(lǐng)域，已成為不可少的關(guān)鍵設(shè)備。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，將向、更智能、更環(huán)保的方向邁進(jìn)，為微納制造領(lǐng)域提供強(qiáng)大的支持。